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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3077
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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