RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
73
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3837
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link