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AMD R5316G1609U2K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2728
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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