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AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2323
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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