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AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2704
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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