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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
73
En -217% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
23
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2298
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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