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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
73
En -204% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
24
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2438
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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