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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
73
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
38
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2148
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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