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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
73
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
39
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2083
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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