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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
73
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
37
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2389
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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