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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2201
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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