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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3116
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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