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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
73
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
52
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2306
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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