RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
73
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
62
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1808
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link