RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1890
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link