RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
76
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
76
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
1809
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link