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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
2920
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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