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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
3206
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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