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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
2945
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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