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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
2346
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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