RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
3020
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link