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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
1763
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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