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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
30
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
30
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
3279
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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