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AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
32
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
32
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2849
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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