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AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
28
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
28
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
1728
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
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