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AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
101
En 81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
101
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
1382
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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