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AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
32
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
32
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
3851
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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