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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
44
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
44
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
1660
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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