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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
32
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
32
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
1844
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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