RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
3155
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link