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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
2855
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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