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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
42
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
2701
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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