RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
2266
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link