RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Compara
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Puntuación global
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
3938
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link