RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Compara
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
41
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
2126
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link