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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
41
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
1512
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R538G1601U2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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