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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Puntuación global
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
2962
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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