RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Compara
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
3142
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link