RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Compara
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
47
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
3127
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link