RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3010
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link