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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2310
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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