RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
21.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3788
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link