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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
26
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3542
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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