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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3711
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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