RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
26
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3355
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GAO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link