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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2227
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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