RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2066
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link