Comparación de la memoria RAM ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Puntuación global

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 31

En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.6 12

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.5 8.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2174 2066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns