RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2496
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link