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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3018
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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