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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3100
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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